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MicroLED技術(shù)作為下一代顯示領(lǐng)域的革命性突破，其核心制程——激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備的選型，直接決定了產(chǎn)品性能與量產(chǎn)可行性。面對(duì)設(shè)備成本高、技術(shù)壁壘深的市場(chǎng)現(xiàn)狀，如何精準(zhǔn)評(píng)估設(shè)備性能，避免投資陷阱？本文從精度、效率、良率三大維度切入，提供系統(tǒng)...
Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x用于氧化釔（Y?O?）涂層厚度測(cè)量。它可快速準(zhǔn)確地繪制大型氧化鋁陶瓷圓盤(pán)上的抗等離子涂層Y?O?層厚度。下面我們來(lái)看看用Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x測(cè)量氧化釔（Y?O?）涂層厚度的具體情況。Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x測(cè)量氧化釔（Y?O?）的案例分析：氧化釔（Y?O?）是一種非常有前景抗等離子涂層材料，且在集成電路中特征尺寸的持續(xù)減小應(yīng)用在化學(xué)機(jī)械拋光后的高度平整工藝用作化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）的磨料，具有獷泛的應(yīng)用范圍。氧...
硅片厚度測(cè)量?jī)x是采用紅外干涉技術(shù)的一款測(cè)量?jī)x器。它能夠精確測(cè)量硅片厚度和測(cè)量TTV總厚度變化，也能實(shí)時(shí)測(cè)量超薄晶圓厚度（掩膜過(guò)程中的晶圓），硅片厚度測(cè)試儀非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等厚度測(cè)量應(yīng)用。硅片厚度測(cè)量?jī)x具有突出優(yōu)勢(shì)，諸多材料例如Si、GaAs、InP、SiC、玻璃、石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測(cè)量，標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量空間分辨率可達(dá)50微米，更小的測(cè)量點(diǎn)也可以做到。目前，儀器可廣泛用于MEMS、晶圓、電子器件、膜厚、激光打標(biāo)雕刻等工序或器件的測(cè)量。該硅...
電容式位移傳感器基于平板電容原理。電容的兩極分別是傳感器和與之相對(duì)的被測(cè)物體。如果有穩(wěn)定交流電通過(guò)傳感器，輸出交流電的電壓會(huì)與傳感器到被測(cè)物體之間的距離成正比關(guān)系，從而可以通過(guò)測(cè)量電壓的變化得到距離信息。電容位移傳感器是一種非接觸電容式原理的精密測(cè)量?jī)x器，具有一般非接觸式儀器所共有的無(wú)磨擦、無(wú)損磨特點(diǎn)外，還具有信噪比大，靈敏度高，零漂小，頻響寬，非線性小，精度穩(wěn)定性好，抗電磁干擾能力強(qiáng)和使用操作方便等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中電容式傳感器可以實(shí)現(xiàn)近乎的線性測(cè)量。但是，電容傳感器要求探...
顯微鏡秒變光刻機(jī)！--顯微鏡LED曝光單元電子顯微鏡和光刻機(jī)，兩個(gè)看上去風(fēng)馬牛不相及的東西，是如何結(jié)合到一起的？我們向您介紹一款無(wú)掩膜顯微鏡LED曝光單元UTA-3A-53M，能令顯微鏡秒變光刻機(jī)！該設(shè)備是一種具有高性?xún)r(jià)比的曝光裝置，其DLP固定在顯微鏡的三目鏡部分，而照相機(jī)則固定在目鏡部分?？梢詫?zhuān)用程序產(chǎn)生的圖案投影并在顯微鏡下曝光在樣品上。＜特征＞?顯微鏡LED曝光單元UTA系列是用于光刻的無(wú)掩模圖案投影曝光設(shè)備。?使用金屬顯微鏡和LED光源DLP投影儀，將分辨率為幾μ...
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200:微米級(jí)定位精度自動(dòng)化薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)介紹FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動(dòng)薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)，用于全自動(dòng)圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測(cè)量。電動(dòng)X-Y載物臺(tái)提供適用尺寸200mmx200mm毫米的行程,通過(guò)真空固定在載臺(tái)上時(shí)進(jìn)行精確測(cè)量?？梢罍y(cè)量厚度和波長(zhǎng)范圍應(yīng)用需求可在在200-1700nm光譜范圍內(nèi)提供各種光學(xué)配置.應(yīng)用o大學(xué)&研究實(shí)驗(yàn)室o半導(dǎo)體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）oMEMS器件（光刻...