用于MicroLED應(yīng)用的高通量激光剝離技術(shù)

簡(jiǎn)要描述：microMIRA 激光剝離（LLO）系統(tǒng)可在高速加工條件下，實(shí)現(xiàn)晶圓上不同薄膜層高度均勻且無(wú)機(jī)械應(yīng)力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍(lán)寶石襯底與其相似的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延生長(zhǎng)，因此大多數(shù)GaN基MicroLED都生長(zhǎng)在藍(lán)寶石上。然而，從藍(lán)寶石這類(lèi)透明且昂貴的材料上進(jìn)行剝離是一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)，只有激光技術(shù)才能在保證合理生產(chǎn)效率的前提下實(shí)現(xiàn)這一工藝。microMIRA 激光系統(tǒng)特別適

產(chǎn)品型號(hào)：microMIRA
廠商性質(zhì)：代理商
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更新時(shí)間：2026-01-09
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microMIRA 激光剝離（LLO）系統(tǒng)可在高速加工條件下，實(shí)現(xiàn)晶圓上不同薄膜層高度均勻且無(wú)機(jī)械應(yīng)力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍(lán)寶石襯底與其相似的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延生長(zhǎng)，因此大多數(shù)GaN基MicroLED都生長(zhǎng)在藍(lán)寶石上。然而，從藍(lán)寶石這類(lèi)透明且昂貴的材料上進(jìn)行剝離是一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)，只有激光技術(shù)才能在保證合理生產(chǎn)效率的前提下實(shí)現(xiàn)這一工藝。microMIRA 激光系統(tǒng)特別適用于MicroLED顯示制造及半導(dǎo)體制造中，從玻璃和藍(lán)寶石襯底上剝離GaN層。

亮點(diǎn)

•無(wú)應(yīng)力且極速的線光束激光加工

•基于熱-機(jī)械效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷加工

•全自動(dòng)系統(tǒng)

•生產(chǎn)成本低

•可集成相鄰制造工序，提升晶圓廠整體生產(chǎn)效率

將藍(lán)寶石晶圓上的氮化鎵（GaN）通過(guò)激光剝離（LLO）轉(zhuǎn)移至石英、藍(lán)寶石或其他材料上
適用于	•microLED •miniLED •垂直結(jié)構(gòu) LED •LED
基板尺寸	•晶圓尺寸達(dá) 8” (200 mm)
激光源與光路系統(tǒng)	·采用準(zhǔn)分子激光源，波長(zhǎng)可根據(jù)客戶應(yīng)用需求選擇（例如248 nm） •在樣品表面的線光束尺寸：205 mm × 0.33 mm（適用于8英寸晶圓）
吞吐量	•每小時(shí)可處理60片8英寸藍(lán)寶石基GaN晶圓（包含工藝及上下料時(shí)間，具體產(chǎn)能取決于系統(tǒng)配置和客戶工件）
定位系統(tǒng)	•精精度直驅(qū)Y軸和Z軸（可選配θ旋轉(zhuǎn)臺(tái)） •Y軸：定位精度 ±5 µm，重復(fù)定位精度 ±1.5 µm •Z軸：定位精度 ±3 µm，重復(fù)定位精度 ±1.5 µm
對(duì)準(zhǔn)	•支持手動(dòng)、半自動(dòng)或全自動(dòng)工件對(duì)準(zhǔn) •配備X、Y運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)及光學(xué)測(cè)量系統(tǒng) •自動(dòng)Z軸定位與表面形貌測(cè)繪
microMMI 軟件	•控制并監(jiān)控所有硬件組件及加工參數(shù) •多級(jí)用戶權(quán)限（管理員、主管、操作員） •數(shù)據(jù)輸入文件格式：DXF、CSV、Gerber、CLI，其他格式可按需提供
選配項(xiàng)	•光束分析與功率測(cè)量模塊 •解鍵合模塊 •質(zhì)量檢測(cè)模塊 •清洗模塊 •最多支持4個(gè)SMIF載片端口 •其他輔助模塊可根據(jù)需求提供
標(biāo)準(zhǔn)	•符合激光1類(lèi)安全標(biāo)準(zhǔn)的防護(hù)外殼，集成控制面板 •配備認(rèn)證激光觀察窗或全景攝像頭（網(wǎng)絡(luò)攝像頭） •潔凈室等級(jí)要求：上下料及正面區(qū)域 ISO 3，剝離工藝區(qū)及激光光路系統(tǒng) ISO 5 •可選配主動(dòng)式排風(fēng)系統(tǒng)
系統(tǒng)尺寸	尺寸：6,500 mm × 5,700 mm × 2,200 mm（含上下料系統(tǒng)和激光源）